Die Piratenkiste – Elektronikbauteile - Leistungsbauteile

Infineon IRF630NSPBF MOSFET-Dr. N-Ch 200V 9,5A D²Pak

Infineon IRF630NSPBF MOSFET-Dr. N-Ch 200V 9,5A D²Pak Versogungsspannung (max.): 200V Ausgangsstrom: 9,5A Transistorpolung: N-Channel Gehäuseform: D²Pa..

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Infineon IRFR1205PBF MOSFET-Dr. N-Ch 55V 37A TO252AA

Infineon IRFR1205PBF MOSFET-Dr. N-Ch 55V 37A TO252AA Versogungsspannung (max.): 55V Ausgangsstrom: 37A Transistorpolung: N-Channel Gehäuseform: T..

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Infineon IRFR9024NPBF MOSFET-Dr. P-Ch 55V 11A TO-252-3

Infineon IRFR9024NPBF MOSFET-Dr. P-Ch 55V 11A TO-252-3 Betriebsersogungsspannung (max.): 55V Ausgangsstrom: 11A Gehäuseform: TO-252-3 Transistorpo..

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Infineon IRLI530NPBF MOSFET-Dr. N-Ch 100V 11A TO-220-3

Infineon IRLI530NPBF MOSFET-Dr. N-Ch 100V 11A TO-220-3 Betriebsersogungsspannung (max.): 100V Ausgangsstrom: 11A Gehäuseform: TO-220-3 Transistorp..

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Infineon IRLR3103PBF MOSFET-Dr. N-Ch 30V 46A TO-252-3

Infineon IRLR3103PBF MOSFET-Dr. N-Ch 30V 46A TO-252-3 Betriebsersogungsspannung (max.): 30V Ausgangsstrom: 46A Gehäuseform: TO-252-3 Transistorpolung:..

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Infineon IRLR3717PBF MOSFET-Dr. N-Ch 20V 120A TO-252-3

Infineon IRLR3717PBF MOSFET-Dr. N-Ch 20V 120A TO-252-3 Betriebsersogungsspannung (max.): 20V Ausgangsstrom: 120A Gehäuseform: TO-252-3 Transistorp..

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Infineon IRLU8259PBF MOSFET-Dr. N-Ch 25V 57A TO-251-3

Infineon IRLU8259PBF MOSFET-Dr. N-Ch 25V 57A TO-251-3 Betriebsersogungsspannung (max.): 25V Ausgangsstrom: 57A Gehäuseform: TO-251-3 Transistorpol..

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Infineon SPA08N50C3 MOSFET-Dr. N-Ch 560V 7,6A TO-220FP-3

Infineon SPA08N50C3 MOSFET-Dr. N-Ch 560V 7,6A TO-220FP-3 Betriebsersogungsspannung (max.): 560V Ausgangsstrom: 7,6A Gehäuseform: TO-220FP-3 Transi..

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IR IRF7313PBF 2xN-Ch 30V 6,5A 2,0W 0,029R SO8

IR IRF7313PBF 2xN-Ch 30V 6,5A 2,0W 0,029R SO8..

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IR IRF9952PBF MOSFET-Dr. N-Ch 30V 3,5A SOIC-8

Infineon IRF9952PBF MOSFET-Dr. N-Ch 30V 3,5A SOIC-8 Betriebsersogungsspannung (max.): 30V Ausgangsstrom: 3,5A Gehäuseform: SOIC-8 Transistorpolung..

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IRS2110SPBF - Low-/High-Side-Dr. 500V SOL16

IRS2110SPBF - Low-/High-Side-Dr. 500V SOL16..

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Maxim Integrated MAX4426CPA+ MOSFET-Dr. Inv Dual High-Speed 18V 1.5A DIP-8

Maxim Integrated MAX4426CPA+ MOSFET-Dr. Inv Dual High-Speed 18V 1.5A DIP-8Versogungsspannung (max.): 18V Ausgangsstrom: 1,5A Gehäuseform: DIP-8 Anz..

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Maxim Integrated MAX626CPA+ MOSFET-Dr. Inv Low-Side 18V 2A DIP-8

Maxim Integrated MAX626CPA+ MOSFET-Dr. Inv Low-Side 18V 2A DIP-8 Versogungsspannung (max.): 18V Ausgangsstrom: 2A Gehäuseform: DIP-8 Anzahl Treibe..

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Maxim Integrated MAX894LESA+ MOSFET-Dr. 5,5V 250mA SOIC-8

Maxim Integrated MAX894LESA+ MOSFET-Dr. High-Side 5,5V 250mA SOIC-8 Versogungsspannung (max.): 5,5V Ausgangsstrom: 250mA Gehäuseform: SIOC-8 Anzah..

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Microchip MIC4125YME MOSFET-Dr. Inv/Non Inv 20V 3A SOIC-8

Microchip MIC4125YME MOSFET-Dr. Inv/Non Inv 20V 3A SOIC-8 Versogungsspannung (max.): 20V Ausgangsstrom: 3A Gehäuseform: SOIC-8 Anzahl Treiber: 2..

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Microchip MIC4129YME MOSFET-Dr. Inv 20V 6A SO8

Microchip MIC4129YME MOSFET-Dr. Inv 20V 6A SO8 Versogungsspannung (max.): 20V Ausgangsstrom: 6A Gehäuseform: SO8..

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Mosfet IRF5305PBF - P-Ch 55V 31A 110W 0,06R TO220AB

Mosfet IRF5305PBF - P-Ch 55V 31A 110W 0,06R TO220AB..

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Panasonic AQV254H Halbleiterrelais 400V 150mA DIP-6

Panasonic AQV254H Halbleiterrelais 400V 150mA DIP-6 Versogungsspannung (max.): 400V Ausgangsstrom: 150mA Gehäuseform: DIP-6..

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Panasonic AQZ105 Halbleiterrelais 100V 2,6A SIP-4

Panasonic AQZ105 Halbleiterrelais 100V 2,6A SIP-4 Versogungsspannung (max.): 100V Ausgangsstrom: 2,6A Gehäuseform: SIP-4..

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STM IRL7833STRLPBF MOSFET-Dr. 30V 30A D2Pak

IR IRL7833STRLPBF MOSFET-Dr. N-Ch 30V 30A D2Pak Betriebsersogungsspannung (max.): 30V Ausgangsstrom: 30A Gehäuseform: D2Pak Transistorpolung: N-Chanel..

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STM VNB10N07-E MOSFET-Dr. 10V 7A D²Pak

STM VNB10N07-E MOSFET-Dr. 10V 7A D²Pak Betriebsersogungsspannung (max.): 18V Ausgangsstrom: 7A Stromlimit: 10A Gehäuseform: D²Pak..

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Taiwan Semiconductor TSM1N80CW MOSFET-Dr. N-Ch 800V 300mA SOT223

Taiwan Semiconductor TSM1N80CW MOSFET-Dr. N-Ch 800V 300mA SOT223 Versogungsspannung (max.): 800V Ausgangsstrom: 300mA Transistorpolung: N-Channel Gehä..

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